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J-GLOBAL ID：201002230485270173   整理番号：10A0438918

LBO結晶の化学機械研磨に及ぼす異方性の影響

Effect of Anisotropy on Chemical Mechanical Polishing of LBO Crystal

著者 (6件)： LI Jun (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN) ,  LI Jun (Technical Inst. Physics and Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHU Yongwei (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN) ,  ZUO Dunwen (Nanjing Univ. Aeronautics and Astronautics, Nanjing, CHN) ,  ZHU Yong (Technical Inst. Physics and Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Chuangtian (Technical Inst. Physics and Chemistry, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 431/432  ページ： 33-36  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LBO(3硼酸リチウム)結晶のa面(001),b面(101),c面(001)を,同じプロセス条件で,精密ラッピングと研磨機により化学機械研磨(CMP)し,材料除去率(MRR)と表面粗さに及ぼす異方性の影響を調査した。CMPの前に,試料を,潤滑剤として脱イオン水を含むAl₂O₃でラッピングした。研磨実験ではポリウレタンパッドを選択し,研磨実験前にダイヤモンドコンディショナで調節した。研磨スラリーとしてコロイド性SiO₂を選択し,脱イオン水で10%Wt以下の研磨材濃度に薄め,スラリーpHは3~5であった。加圧力100~300g/cm²と圧盤回転速度10~40rpmで,スラリー流速は約200~400ml/hであった。LBO結晶のc面が最高のMRRで,b面が劣り,a面が最低であった。c面の表面粗さが最良で,b面が続き,a面が最悪であった。実験の範囲では,MRRはより良い表面粗さにつながった。表面活性は異なる結晶面の原子分布と配列に依存する。同時に高いMRRとより良い表面品質を得るためには,各結晶面の加工条件を調べ,研磨効率と表面品質を考慮しなければならない。

シソーラス用語： 異方性 ,  除去 ,  表面粗さ ,  *化学研磨 ,  *ホウ酸塩 ,  *リチウム化合物 ,  結晶 ,  脱イオン水 ,  酸化アルミニウム ,  ポリウレタン ,  パッド ,  二酸化ケイ素 ,  界面活性 ,  スラリー ,  研削材 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *ホウ酸リチウム ,  材料除去

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶 ,  化学機械研磨 ,  異方性