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J-GLOBAL ID：201002230545758782   整理番号：10A1619430

界面調整された非晶質TiO₂をベースとした抵抗変化型メモリーデバイス

Interface-Engineered Amorphous TiO₂-Based Resistive Memory Devices

著者 (4件)： JEONG Hu Young (KAIST, Daejeon, KOR) ,  LEE Jeong Yong (KAIST, Daejeon, KOR) ,  CHOI Sung-Yool (Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI), Daejeon, KOR) ,  CHOI Sung-Yool (Univ. Sci. and Technol. (UST), Daejeon, KOR)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 20  号： 22  ページ： 3912-3917  発行年： 2010年11月23日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造が単純で高速スイッチングが可能な,非晶質TiO₂ベース抵抗変化型ランダムアクセスメモリーがフレキシブル不揮発性メモリーとして有望である。しかしながら,Al電極でのみ駆動し,透明トランジスタ等への使用にはエレクトロマイグレーション等の問題がある。本研究では,上部電極および下部電極との界面に厚さ5nmのMn,WあるいはNi薄膜を挿入したクロスバー型メモリーデバイスを作製した。電極材料として,Al,Au,PtおよびCuを組み合わせて電流-電圧特性を評価した結果,電極材料によらない優れた動作が実現できることを明らかにした。高分解能透過電子顕微鏡観察結果も付加し,TiO₂中の酸素空孔を介した酸素ドリフトによるモデルを提案した。

シソーラス用語： 記憶装置 ,  記憶素子 ,  *RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  固体素子 ,  *酸化チタン ,  非晶質 ,  電気抵抗 ,  薄膜 ,  層 ,  ニッケル ,  マンガン ,  タングステン ,  電極 ,  性能評価 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： メモリデバイス ,  *抵抗変化メモリ ,  中間層 ,  金属電極

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  非晶質 ,  TiO2 ,  抵抗変化型メモリー