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J-GLOBAL ID：201002230586744796   整理番号：10A0863647

SOI系RF MEMSチューナを用いた高Qチューナブルマイクロ波キャビテイ共振器とフイルター

High-Q Tunable Microwave Cavity Resonators and Filters Using SOI-Based RF MEMS Tuners

著者 (4件)： LIU Xiaoguang (Purdue Univ., IN, USA) ,  KATEHI Linda P. B. (Univ. California, CA, USA) ,  CHAPPELL William J. (Purdue Univ., IN, USA) ,  PEROULIS Dimitrios (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 19  号： 4  ページ： 774-784  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微小電子機械システム(MEMS)により可能にした,広範囲チューナブル超高無負荷性質係数(Q_u)エバネセントモードキャビテイ共振器とフイルターのモデリング,設計と作製方法について述べた。共振器/フイルターの周波数チューニングのため,集積静電作動薄膜を初めて用いた。このシリコン-オン-絶縁膜(SOI)系薄膜MEMS膜の静電作動により,無ヒステリシスと優れた機械的安定性とともに高信頼度動作を可能にした。300~650のQ_uで1.9GHzから5.0GHz(2.6:1チューニング比)まで連続チューナブル共振器を実現した。要求静電電圧は120V以下であった。また,0.7%の3dB帯域幅に対し,3.55~2.38dBの挿入損失で3.04GHzから4.71GHz(1.55:1チューニング比)をカバーした,2極連続チューナブルフイルターを設計し,測定した。機械的安定性測定から,そのチューナブル共振器/フイルターは定バイアス電圧下で超低周波数ドリフト(3時間で0.5%以下)を示した。

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *MEMS ,  *同調器 ,  *空洞共振器 ,  Q値 ,  *帯域フィルタ ,  共振周波数 ,  ダイヤフラム
準シソーラス用語： 可変同調フィルタ

分類 (2件)： フィルタ一般  (NC04021I) ,  共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  RF ,  MEMS ,  チューナ ,  マイクロ波 ,  共振器