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J-GLOBAL ID：201002230608957357   整理番号：10A0176917

予めパターンをつけたP型シリコンに作ったマクロ細孔の規則化と無秩序化

Ordering and Disordering of Macropores Formed in Prepatterned p-Type Silicon

著者 (5件)： OKAYAMA Haruaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUKAMI Kazuhiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  PLUGARU Rodica (National Inst. for Res. and Dev. in Microtechnologies, Bucharest, ROM) ,  SAKKA Tetsuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OGATA Yukio H. (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 1  ページ： D54-D59  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノサイズであれば電子素子やバイオセンサ,光学素子に使えそうな細孔配列の規則化を検討した。P型Si(100)ウエハをフォトリソグラフィーでパターン形成後,フッ化水素水溶液でアノード酸化した。8μm間隔で直交配列したエッチピットを形成した。ピット径はこの後のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドによるアルカリエッチングの時間で調節した。5分では1×1,20分で4×4μm角のマクロ細孔ができた。パターンサイズと電流密度が配列の秩序に影響したので電場の形状を考察した。細孔成長端付近での電場勾配又は局所電流分布で印加電流密度の効果を説明できた。この理論と方法でウエハからシリコンナノワイヤを作ることもデモンストレーションした。形状,断面観察にはFESEMを使った。

シソーラス用語： *P型半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  *細孔 ,  細孔径 ,  規則化 ,  フォトリソグラフィー ,  パターン形成 ,  アノード酸化 ,  フッ化水素 ,  *エッチピット ,  エッチング ,  時間 ,  拡大 ,  電流密度 ,  電場勾配 ,  電流分布 ,  成長点 ,  ナノワイヤ ,  モルフォロジー ,  走査電子顕微鏡 ,  間隔 ,  *規則度 ,  *配列
準シソーラス用語： FE-SEM ,  *シリコンウエハ ,  シリコンナノワイヤ ,  経過時間

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： テトラメチルアンモニウムヒドロキシド

タイトルに関連する用語 (5件)： p型シリコン ,  マクロ ,  細孔 ,  規則化 ,  無秩序化