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J-GLOBAL ID：201002230664069952   整理番号：10A0680674

量子ドット密度の異なる量子ドットメモリ素子の電荷捕獲

Charge trapping in quantum dot memory devices with different dot densities

著者 (3件)： KANNAN E S (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Gil-Ho (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  RITCHIE D A (Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 43  号： 22  ページ： 225101,1-6  発行年： 2010年06月09日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体量子ドットに基づくメモリ素子は次世代の超高密度メモリ素子として有望である。電気駆動型量子ドットメモリ素子メモリの容量電圧特性と電流電圧特性を100Kで測定した。量子ドット密度が1.2から3×10⁹ドットcm^-2に高まると捕獲電子数が増加した。量子ドットを含む面内の電荷トラップとドットの間のCoulomb相互作用に結合したドット間トンネリングは量子ドットの電荷捕獲能力に有意に影響することを明らかにした。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *記憶素子 ,  捕獲 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  *電子捕獲 ,  素子構造 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  曲線
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  ヒステリシスループ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 量子ドット ,  密度 ,  メモリ素子 ,  電荷捕獲