文献

J-GLOBAL ID：201002230742417695   整理番号：10A0590403

n-4H-SiCに対するオーム接触の電流フロー機構

Current Flow Mechanism in Ohmic Contact to n-4H-SiC

著者 (4件)： BLANK T. V. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  GOLDBERG Yu. A. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  POSSE E. A. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  SOLDATENKOV F. Yu. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 4  ページ： 463-466  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素,特にその4H-SiCプロトタイプ,は現在,高温高出力半導体エレクトロニクスの基礎として役立っている。4H-SiCは十分低い表面状態密度を持っている。それ故,エレクトロニクスに広く使用されている半導体(Si,GaAs,Gaなど)とは対照的に,金属-4H-SiC障壁の高さは接触金属の電子仕事関数に強く依存する。ここでは,In-4H-SiCオーム接触における電流フローを,接触抵抗の温度依存性を解析することによって研究した。適度にドーピングしたn-4H-SiCに対するInのオーム接触の電流フロー機構が熱電子放出による機構であることが分かった。

シソーラス用語： N型半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *Ohm接触 ,  電流 ,  高温 ,  パワーエレクトロニクス ,  表面準位 ,  状態密度 ,  障壁 ,  高さ ,  接触 ,  仕事関数 ,  接触抵抗 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  インジウム ,  熱電子放出 ,  *金属
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  高出力 ,  表面状態

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  オーム接触 ,  フロー