文献

J-GLOBAL ID：201002230859969885   整理番号：10A0135960

非極性GaN中の故意でないドーピングのキャラクタリゼーション

Characterization of unintentional doping in nonpolar GaN

著者 (5件)： ZHU Tongtong (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  JOHNSTON Carol F. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  HAEBERLEN Maik (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  KAPPERS Menno J. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  OLIVER Rachel A. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 2  ページ： 023503  発行年： 2010年01月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元(3D)-二次元(2D)成長法を用いてr面(1-102)サファイア上に成長した非極性a面(11-20)窒化ガリウム(GaN)中の故意でないドーピングを特性評価した。2D成長のみと3D-2D成長の両方について,GaN/サファイア界面と隣接する故意でないドーピング領域の存在を,走査容量顕微鏡(SCM)によって観察した。この故意でないドーピング層の平均幅は,3D成長時間を増すと増加することが分かった。較正のために意図的にドーピングしたGaN:Si階段構造を用いて,故意でないドーピング領域が(2.5±0.3)×10¹⁸cm^-3の平均キャリア濃度を持っていることが判明した。SCMはまたGaN/サファイア界面から60°に拡張している故意でないドーピング特徴の存在を明らかにした。これらの特徴に沿ったGaN/サファイア界面からの距離によるキャリア濃度の減少観察は,故意でないドーピングがサファイア基板からの酸素拡散から生じることを示唆する。低温陰極線ルミネセンススペクトルは,3.41と3.30eVに発光ピークを明らかにした。それぞれ底面積層欠陥(BSF)とプリズム積層欠陥(PSF)が起源であると考えられる。GaN/サファイア界面から拡張している傾斜特徴が増強BSFとPSF発光の両方を表していることが示される。故意でない増強ドーピングがPSFまわりの領域に存在することを示唆した。BSFがこのドーピング材料を横切る所で,それらの発光はまた減少した無放射再結合のために増強される。透過電子顕微鏡法は,GaN/サファイア界面から60°で膜を通して拡張しているPSFの存在を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 非極性 ,  *窒化ガリウム ,  *ドーピング ,  キャラクタリゼーション ,  三次元 ,  二次元 ,  サファイア ,  界面 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  キャリア密度 ,  基板 ,  酸素 ,  固体内拡散 ,  低温 ,  陰極線ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  積層欠陥 ,  傾斜 ,  再結合 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 走査型容量顕微鏡

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非極性 ,  GaN ,  ドーピング ,  キャラクタリゼーション