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J-GLOBAL ID：201002231005731784   整理番号：10A0467166

マグネトロンスパッタリングによるポリカーボネート基板上のGZO/ZnO2重層膜の室温成長と光電子特性

Room-temperature growth and optoelectronic properties of GZO/ZnO bilayer films on polycarbonate substrates by magnetron sputtering

著者 (3件)： GONG Li (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027 ...) ,  LU Jianguo (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027 ...) ,  YE Zhizhen (State Key Lab. of Silicon Materials, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Zhejiang Univ., Hangzhou 310027 ...)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94  号： 7  ページ： 1282-1285  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温の無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリングによって,ZnO緩衝層のある/なしのポリカーボネート(PC)基板上にガリウムドープした酸化亜鉛(GZO)膜を成長した。直交配列に基づいて,種々の品質のZnO緩衝層上の成長パラメータ(スパッタ電力や圧力,時間,酸素分圧)の最適化について研究した。範囲分析法によって,ZnO緩衝層の最適パラメータが得られた。GZO/ZnO/PC膜の最も低い抵抗率は約5.21×10^-4Ωcmであり,可視光範囲の透過率は空気を参照にして約80%である。良好な透明-電導性と高分子基材上の室温蒸着は,薄膜太陽電池などの柔軟な光電子デバイスでGZO膜が広く使用されるのを可能にする。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光起電素子 ,  太陽電池 ,  エレクトロセラミック ,  セラミック膜 ,  製膜 ,  ポリカーボネート ,  バッファ層 ,  *酸化亜鉛 ,  ドーパント ,  ガリウム ,  最適条件 ,  電気抵抗 ,  光吸収 ,  マグネトロンスパッタリング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  ポリカーボネート ,  GZO ,  室温 ,  成長 ,  光電子