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J-GLOBAL ID：201002231096721255   整理番号：10A0346621

ガンマ線の照射された単層カーボンナノチューブを基本とするトランジスタの輸送特性

Transport properties of single-walled carbon nanotube transistors after gamma radiation treatment

著者 (8件)： VITUSEVICH S. A. (Inst. of Bio- and Nanosystems and Juelich-Aachen Res. Alliance for Future Information Technol. (JARA-FIT) ...) ,  SYDORUK V. A. (Inst. of Bio- and Nanosystems and Juelich-Aachen Res. Alliance for Future Information Technol. (JARA-FIT) ...) ,  PETRYCHUK M. V. (Taras Shevchenko National Univ., Kiev, 01033, UKR) ,  DANILCHENKO B. A. (Inst. of Physics, NASU, Kiev, UKR) ,  KLEIN N. (Inst. of Bio- and Nanosystems and Juelich-Aachen Res. Alliance for Future Information Technol. (JARA-FIT) ...) ,  OFFENHAEUSSER A. (Inst. of Bio- and Nanosystems and Juelich-Aachen Res. Alliance for Future Information Technol. (JARA-FIT) ...) ,  URAL A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Florida, Gainesville Florida 32611, USA) ,  BOSMAN G. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Florida, Gainesville Florida 32611, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 6  ページ： 063701  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層のカーボンナノチューブを基本とする電界効果トランジスタ(CNT-FET)のガンマ線照射前後における特性を,ノイズ分光法によって評価した。得られた結果から,長さが10μmの長いチャネルを持つCNT-FETでは,コンタクト領域の寄与を無視できることが分かった。更に,照射線量が1×10⁶および2×10⁶ラドの素子では,ナノチューブに平行な寄生伝導度が大幅に減少し,最大伝導度を持つ領域はゲート電圧が殆どゼロの電圧領域にシフトし,FETの動作点が大幅に改善されることが分かった。また,線量が1×10⁶ラドのガンマ線が照射される前後に得られたHoogeパラメータは5×10^-3であることが分かった。このパラメータの値は通常の半導体に関する典型的な値と同程度である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *γ線照射 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *FET【トランジスタ】 ,  スペクトル ,  照射線量 ,  電圧 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 雑音スペクトル ,  ゲート電圧 ,  動作点 ,  Hoogeパラメータ

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ガンマ線 ,  単層カーボンナノチューブ ,  トランジスタ ,  輸送特性