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J-GLOBAL ID：201002231505598509   整理番号：10A0199413

AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT

AlGaN channel high electron mobility transistors on AlN substrates

著者 (6件)： 橋本信 (住友電気工業) ,  秋田勝史 (住友電気工業) ,  田辺達也 (住友電気工業) ,  中幡英章 (住友電気工業) ,  竹田健一郎 (名城大) ,  天野浩 (名城大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 361(MW2009 157-178)  ページ： 77-80  発行年： 2010年01月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： AlN基板上にAlGaNチャネルHEMTエピを成長し,サファイア基板上と比較した。AlGaNチャネル層の(10-12)面のX線ロッキングカーブ(XRC)半値幅の低減に伴い,2次元電子ガスのシート抵抗の大幅な低減が確認された。AlGaNチャネルHEMTでは,2次元電子ガスのシート抵抗低減には,AlGaNチャネル層の結晶品質の向上が重要であることを明らかにした。また,AlN基板を用いることで,AlGaNチャネル層の結晶品質の向上及び2次元電子ガスのシート抵抗の低減を確認し,AlGaNチャネルHEMTにおけるAlN基板の優位性を確認することができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化アルミニウム ,  半導体材料 ,  *基板 ,  エピタクシー ,  電子ガス ,  シート抵抗
準シソーラス用語： AlGaN ,  サファイア基板 ,  *AlN基板

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： AlN ,  AlGaN ,  チャネル ,  HEMT