文献

J-GLOBAL ID：201002231517056515   整理番号：10A0714227

格子整合InAlN/AlN/GaN HFET構造のストレステスト測定

Stress test measurements of lattice-matched InAlN/AlN/GaN HFET structures

著者 (12件)： LEACH Jacob H. (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  WU Mo (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  NI Xianfeng (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  LI Xing (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  OEZGUER UEmit (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  MORKOC Hadis (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  LIBERIS Juozas (Semiconductor Physics Inst., Vilnius, LTU) ,  SERMUKSNIS Emilis (Semiconductor Physics Inst., Vilnius, LTU) ,  MATULIONIS Arvydas (Semiconductor Physics Inst., Vilnius, LTU) ,  CHENG Hailing (Univ. Michigan, MI, USA) ,  KURDAK Cagliyan (Univ. Michigan, MI, USA) ,  MOON Yong-Tae (LG Innotek Co., Ltd., Seoul, KOR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 6  ページ： 1345-1347  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAlN/AlN/GaNへテロ構造は既存のAlGaN/GaNへテロ構造にと比較してHFETデバイス応用の観点で,広いバンドギャップあるいはGaNに対する格子整合を満たすなどの利点がある。この中でも,ストレス条件下でデバイスの信頼性に及ぼすホットエレクトロンとホットフォノン効果の影響を分離できることに着目した。格子整合InAlNベースHFETを電気的ストレステストに供し,最大ドレイン電流に対応するデバイス劣化を調べた。この結果,劣化速度は狭い中庸なゲート電圧範囲で,2DEG密度が9~10×10¹²cm^-2に対応する場合にのみ低くなることが分かった。この劣化は電子密度の関数としての劣化速度がホットフォノン寿命にによって決まることから,ホットフォノン効果に基づくことを提案した。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウム ,  素子構造 ,  化合物半導体 ,  *格子整合 ,  信頼性試験 ,  ホットエレクトロン ,  フォノン ,  *二次元電子ガス ,  FET【トランジスタ】 ,  加速試験 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  *ホットフォノン ,  *窒化アルミニウムインジウム ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  劣化率 ,  ヘテロFET ,  *ヘテロ構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 格子整合 ,  InAlN ,  AlN ,  GaN ,  HFET ,  ストレステスト