文献

J-GLOBAL ID：201002231566935176   整理番号：10A0235711

極薄傾斜ベースを持つInP/GaInAsヘテロ接合バイポーラトランジスタのベース通過時間のモンテカルロ解析

Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases

著者 (4件)： UESAWA Takafumi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YAMADA Masayuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 2,Issue 1  ページ： 024302.1-024302.3  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極薄の重ドーピングベースを持つInP/GaInAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のベース通過時間を,モンテカルロ(MC)シミュレーションを実行することによって研究した。エミッタとベース間の伝導バンド不連続による電子の加速を考慮した。正孔プラズモンの自然放出によって起こる散乱が,ベースの厚みが20nmの場合でさえベースの通過時間をかなり増大させる。ベースのバンドギャップ傾斜付けが低速電子をコレクタ中に効果的に浸透させ,ベース通過時間の増加は部分的に抑制される。MCシミュレーションは,バンドギャップ傾斜付けが熱エネルギーのちょうど二倍である時に,20nm厚さのベースの通過時間が40%減少することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 超薄膜 ,  傾斜 ,  ベース【半導体】 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *HBT【トランジスタ】 ,  時間 ,  モンテカルロ法 ,  ドーピング ,  計算機シミュレーション ,  エミッタ【半導体】 ,  伝導バンド ,  不連続性 ,  電子 ,  正孔 ,  プラズモン ,  自然放出 ,  散乱 ,  厚み ,  バンドギャップ ,  コレクタ【半導体】 ,  エネルギー ,  *リン化インジウム ,  通過時間 ,  熱エネルギー ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (12件)：

• W. Snodgrass, W. Haiez, N. Harff. and M. Feng: IEDM Tech. Dig., 2006, p. 1.
• Z. Griffith, Y. Done, D. Scott, Y. Wei, N. Parthasarathy, M. Dahlstrom, C. Kadow, V. Paidi, M. J. W. Rodwell. M. Urteaga. R. Pierson. P. Rodwell, B. Brar, S. Lee, N. X. Nguyen, and C. Nguyen: IEEE J. Solid-State Circuits 40(2005)2061.
• T. Ishihashi: IEEE Trans. Electron Devices 48(2001)2595.
• H. Kroemer: J. Vac. Sci. Technol. B 1(1983)126.
• H. Nakajima and T. Ishihashi: IEEE Trans. Electron Devices 40(1993)1950.

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  GaInAs ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  通過時間 ,  モンテカルロ解析