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J-GLOBAL ID：201002231597552070   整理番号：10A0373916

三硫化二砒素薄膜の熱処理と素子性能に及ぼすその影響

Thermal annealing of arsenic tri-sulphide thin film and its influence on device performance

著者 (6件)： CHOI Duk-yong (Centre for Ultra-high Bandwidth Devices & Optical Systems (CUDOS), Laser Physics Centre, Res. School of Physics and ...) ,  MADDEN Steve (Centre for Ultra-high Bandwidth Devices & Optical Systems (CUDOS), Laser Physics Centre, Res. School of Physics and ...) ,  BULLA Douglas (Centre for Ultra-high Bandwidth Devices & Optical Systems (CUDOS), Laser Physics Centre, Res. School of Physics and ...) ,  WANG Rongping (Centre for Ultra-high Bandwidth Devices & Optical Systems (CUDOS), Laser Physics Centre, Res. School of Physics and ...) ,  RODE Andrei (Centre for Ultra-high Bandwidth Devices & Optical Systems (CUDOS), Laser Physics Centre, Res. School of Physics and ...) ,  LUTHER-DAVIES Barry (Centre for Ultra-high Bandwidth Devices & Optical Systems (CUDOS), Laser Physics Centre, Res. School of Physics and ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 5  ページ： 053106  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 全光信号プロセッサ用の非線形光学素子として三硫化二砒素(As₂S₃)導波路を利用することに成功した。このような素子で高性能を得るためには低い伝送損失が不可欠である。本研究では,熱処理することにより,膜の物理的性質の安定化を図り,蒸着した材料中の光減衰の源を低減した。ここでは,As₂S₃薄膜の微細構造と光学的性質に対する熱誘起変化を調べ,その情報に基づいて最良の熱処理条件を決定した。熱緻密化と異極結合密度故に,焼なましに伴って膜の屈折率が上昇した。しかし,膜の熱応力と表面粗さの増大は最高焼なまし温度を約130°Cに制限した。蒸着したままの膜と焼なました膜から作製した導波路を作製し解析し,適当な焼なましの結果,導波路の伝搬損失が約0.2dB/cm低下することが分かった。蒸着したままの膜の相分離,等極結合,空孔欠陥,ダングリングボンドに関係した欠陥からのRayleigh散乱と吸収は,焼なまさない膜中の高い光減衰にこれらが寄与することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *硫化物 ,  *ヒ化物 ,  *半導体薄膜 ,  *焼なまし ,  光減衰 ,  微細構造 ,  *光学的性質 ,  屈折率 ,  空孔欠陥 ,  ダングリングボンド
準シソーラス用語： *三硫化二砒素

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫化 ,  砒素 ,  薄膜 ,  熱処理