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J-GLOBAL ID：201002231868037207   整理番号：10A1020588

濡れ性の異なる基板表面での液滴乾燥挙動の数値解析

著者 (2件)： 両角仁夫 (高知工科大 システム工学群) ,  LI Rongjuan (高知工科大 システム工学群)
資料名： 高知工科大学紀要  (Research Bulletin. Kochi University of Technology)
巻： 7  号： 1  ページ： 71-79  発行年： 2010年07月29日 
JST資料番号： L7194A  ISSN： 1348-4842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： インクジェット成膜法の実用化には液滴が基板に着弾し,乾燥が完了するまでの接触線の挙動を把握する必要があり,格子ボルツマン法を用いた液滴挙動の数値解析が行われている。本論文では,LeeとLinによる二相流格子ボルツマン法において液相と気相の蒸気圧差を模擬し,親液性及び疎液性基板表面での液滴乾燥過程を数値解析した。本液滴蒸気モデルでは二相流格子ボルツマン法で用いられる気液二相の違いを表す粒子分布関数に対し,気液界面領域と周囲気相における粒子分布の差を評価させる。まず,親液性基板上で蒸発速度パラメータを変化させたときの液滴蒸発に伴う濡れ径,及び接触角の経時変化を調べて高分子基板表面での実験結果と同様の傾向を確かめた。本解析では蒸発初期に接触線が固定されたまま液滴体積が減少したので,親液性基板上での接触線の固定あるいは後退は蒸発速度の大きさによらずに準静的な過程であることが示唆された。また,乾燥過程での液滴体積と蒸発速度の経時変化を疎液性基板上での挙動と比較し,疎液性基板では接触線が固定されずに接触角がほぼ一定のまま蒸発することを示した。

シソーラス用語： 液滴 ,  乾燥 ,  *数値解析 ,  *薄膜成長 ,  噴流 ,  基板 ,  流動解析 ,  分布 ,  粒子 ,  パラメタリゼーション ,  *蒸発 ,  濡れ ,  経時変化
準シソーラス用語： インクジェット ,  *インクジェット成膜法 ,  *液滴蒸発 ,  格子ボルツマン法 ,  濡れ性 ,  粒子分布

分類 (3件)： 数値計算  (JE02000J) ,  蒸留,蒸発  (XD02010F) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 濡れ性 ,  基板表面 ,  液滴 ,  挙動 ,  数値解析