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J-GLOBAL ID：201002232108505070   整理番号：10A0641059

分布帰還形トランジスタレーザ

Distributed feedback transistor laser

著者 (3件)： DIXON F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 West Green Street, Urbana ...) ,  FENG M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 West Green Street, Urbana ...) ,  HOLONYAK N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 West Green Street, Urbana ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 24  ページ： 241103  発行年： 2010年06月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaP/GaAs/InGaAs量子井戸ヘテロ接合バイポーラトランジスタレーザ発振の単一縦モード動作を報告した。ソフト光硬化性ナノインプリントリソグラフィーを用いて,上部発光AlGaAs閉込め層に三次分布帰還表面格子を作製した。素子はピーク波長λ=959.75nmで連続波レーザ動作し,-70°C動作時の閾値電流I_B=13mAであった。端面を劈開した素子ではサイドモード抑圧比>25dBを達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *分布帰還形レーザ ,  HBT【トランジスタ】 ,  レーザ発振 ,  ヘテロ接合 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  リン化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *連続レーザ ,  縦モード ,  単一モード ,  リソグラフィー ,  電流
準シソーラス用語： *トランジスタレーザー ,  ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  閾値電流

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分布 ,  帰還 ,  トランジスタレーザ