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J-GLOBAL ID：201002232426251192   整理番号：10A0186922

シリコン上へのPtクラスタの電池作用付着: HF濃度の影響およびシリコンナノワイヤの成長のための触媒として応用

Galvanic Deposition of Pt Clusters on Silicon: Effect of HF Concentration and Application as Catalyst for Silicon Nanowire Growth

著者 (5件)： CERRUTI Marta (Univ. California at Berkeley, California) ,  DOERK Gregory (Univ. California at Berkeley, California) ,  HERNANDEZ Gail (Univ. California at Berkeley, California) ,  CARRARO Carlo (Univ. California at Berkeley, California) ,  MABOUDIAN Roya (Univ. California at Berkeley, California)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 26  号： 1  ページ： 432-437  発行年： 2010年01月05日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PtCl₂およびさまざまな濃度のHFを含む溶液からのSi上へのPtの付着について報告した。実験結果は,低い[HF]/[Pt]比(≦26)ではPtSiの薄膜が生成するのみであった。Ptの付着速度は,[HF]/[Pt]~530まではめっき液中の[HF]とともに増加したが,この比を超えるとPt膜のモルフォロジーが変化し,大きなクラスタが生成してSi基板の被覆が疎となった。詳細な原子間力顕微鏡およびX線光電子分光分析は,付着したPt層は完全にはSi基板を被覆していないことを示した。生成したPtおよびPtSi膜は蒸気-液体-固体(VLS)プロセスにより作製されるSiナノワイヤ(SiNW)アレイの形成を触媒することが可能である。Ptめっき液への浸漬時間を変化させることによって,さまざまな密度,直径および配向をもつSiNWアレイが得られた。

シソーラス用語： *白金 ,  *クラスタ ,  *付着 ,  *ナノワイヤ ,  めっき液 ,  被覆 ,  *VLS成長
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *ナノワイヤアレイ ,  *フッ化水素酸 ,  *触媒作用 ,  電気化学的加工

分類 (3件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  Pt ,  クラスタ ,  電池 ,  HF ,  シリコンナノワイヤ ,  成長 ,  触媒 ,  応用