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J-GLOBAL ID：201002232480932677   整理番号：10A0847722

GaNナノロッド束の偏光Raman分光法

Polarization Raman spectroscopy of GaN nanorod bundles

著者 (3件)： TITE T. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  LEE C. J. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  CHANG Y.-m. (Center for Condensed Matter Sciences, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 033504  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーで成長させた単一ウルツ鉱型GaNナノロッド束を偏光Raman分光法で調べた。得られたRamanスペクトルをGaNエピタキシャル層のものと比べた。GaNナノロッド束とエピタキシャル層のスペクトルの違いから,これらのGaNナノロッド束におけるRaman選択則の緩和を明らかにした。偏光に依存するRaman分光法とRaman選択則の予測とのずれは,入射光と散乱光の偏光ベクトルに関する結晶軸の配向と,GaNナノロッドの合体境界における構造的欠陥の両方に起因した。合体境界における局所歪で誘起した高密度の欠陥の存在を透過型電子顕微鏡により確認した。空間相関モデルに基づいて,欠陥の平均間空を約3nmと推定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  ナノロッド ,  *Raman分光法 ,  *MBE成長 ,  Ramanスペクトル ,  選択則 ,  偏光 ,  格子欠陥 ,  相関 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  エピタクシー ,  緩和現象
準シソーラス用語： 空間相関

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ナノロッド ,  束 ,  偏光 ,  Raman分光法