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J-GLOBAL ID：201002232735931963   整理番号：10A0769289

その場メッキビスマス膜電極でのニッケルの吸着ストリッピングボルタンメトリー

Adsorptive Stripping Voltammetry of Nickel at an In Situ Plated Bismuth Film Electrode

著者 (3件)： KOROLCZUK Mieczyslaw (Maria Curie Sklodowska Univ., Lublin, POL) ,  RUTYNA Iwona (Maria Curie Sklodowska Univ., Lublin, POL) ,  TYSZCZUK Katarzyna (Maria Curie Sklodowska Univ., Lublin, POL)
資料名： Electroanalysis  (Electroanalysis)
巻： 22  号： 13  ページ： 1494-1498  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： T0736A  ISSN： 1040-0397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その場メッキビスマス膜電極を調製し,アルカリ条件(pH10)でのニッケルの吸着ストリッピングボルタンメトリーに適用した。アンモニア緩衝液(支持電解質)にBi(III)の強い錯形成試薬として酒石酸塩を添加し,Bi(III)を安定化させた。提案アプローチによるNi(II)の直線検量域は5×10^-9~5×10^-8mol/L,検出限界は1×10^-9mol/L(蓄積時間120s)であった。本法を水認証標準物質中のNi(II)定量に適用し,その有効性を実証した。

シソーラス用語： 膜電極 ,  ビスマス ,  *ストリッピングボルタンメトリー ,  *ニッケル ,  痕跡量成分 ,  *水試料 ,  定量分析 ,  ダイナミックレンジ ,  検出限界 ,  測定精度 ,  予備濃縮 ,  錯体生成 ,  安定化
準シソーラス用語： ビスマス膜電極 ,  吸着ストリッピングボルタンメトリー

分類 (1件)： 無機物質中の元素の電気分析  (CC05022V)

タイトルに関連する用語 (5件)： メッキ ,  ビスマス ,  膜電極 ,  ニッケル ,  吸着ストリッピングボルタンメトリー