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J-GLOBAL ID：201002233147177280   整理番号：10A1124963

In_0.53Ga_0.47As/In_0.53Ga_0.23Al_0.24As量子井戸とInAs量子ダッシュからなるトンネル注入構造の非接触電界反射

Contactless electroreflectance of optical transitions in tunnel-injection structures composed of an In_0.53Ga_0.47As/In_0.53Ga_0.23Al_0.24As quantum well and InAs quantum dashes

著者 (8件)： KUDRAWIEC R. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  SEK G. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  MOTYKA M. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  MISIEWICZ J. (Inst. of Physics, Wroclaw Univ. of Technol., Wybrzeze Wyspianskiego 27, 50-370 Wroclaw, POL) ,  SOMERS A. (Technische Physik, Univ. of Wuerzburg, Wilhelm-Conrad-Roentgen-Research Center for Complex Material Systems, Am ...) ,  HOEFLING S. (Technische Physik, Univ. of Wuerzburg, Wilhelm-Conrad-Roentgen-Research Center for Complex Material Systems, Am ...) ,  WORSCHECH L. (Technische Physik, Univ. of Wuerzburg, Wilhelm-Conrad-Roentgen-Research Center for Complex Material Systems, Am ...) ,  FORCHEL A. (Technische Physik, Univ. of Wuerzburg, Wilhelm-Conrad-Roentgen-Research Center for Complex Material Systems, Am ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 8  ページ： 086106  発行年： 2010年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In_0.53Ga_0.47As/In_0.53Ga_0.23Al_0.24As量子井戸と異なる厚みのIn_0.53Ga_0.23Al_0.24As障壁層で分離したInAs量子ダッシュからなるトンネル注入構造を非接触電界反射により調べた。In_0.53Ga_0.47As量子井戸とInAs量子ダッシュ湿潤層の混合系における光学遷移を考慮して,観測したスペクトルパターンを説明した。このような非対称閉込めポテンシャルの両側に局在する電子状態と正孔状態の存在を示した。後者から,トンネル注入構造中の量子ダッシュ領域が,自己集合構造中の湿潤層の存在故に,キャリアにより容易に透過されると結論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *量子ドット ,  半導体材料 ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  アルミニウム化合物 ,  電子遷移 ,  *化合物半導体 ,  電界反射 ,  電子状態 ,  正孔
準シソーラス用語： 量子ダッシュ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 量子井戸 ,  InAs ,  量子ダッシュ ,  トンネル ,  注入 ,  非接触 ,  電界反射