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J-GLOBAL ID：201002233176499653   整理番号：10A0535930

固体結晶化による薄膜テトラベンゾポルフィリン(TBP)有機半導体の形態制御と配向

Control of Morphology and Orientation of a Thin Film Tetrabenzoporphyrin (TBP) Organic Semiconductor by Solid-State Crystallization

著者 (4件)： NOGUCHI Naoki (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN) ,  JUNWEI Shen (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN) ,  ASATANI Haruki (Mitsubishi Chemical Group Sci. and Technol. Res. Center, Inc., Yokohama, JPN) ,  MATSUOKA Masakuni (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 10  号： 4  ページ： 1848-1853  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラビシクロポルフィリン(CP)からのアニーリングによる固相結晶化後のテトラベンゾポルフィリン(TBP)の粒子形状はアニーリング温度により影響されるが,しかし,粒子配向は温度により著しく変化しないことがわかった。薄膜XRD(X線回折)測定から,キャリア移動度を最も増大する方向であるb軸は,基板に平行に成長することが分かった。しかし,高温において,成長方向は基板表面からわずかに傾斜する。FET性能はアニーリング温度依存性を示し,キャリア移動度は高温でのそれに比べて低温で合成したフィルムのそれが3倍も高いことが分かった。

シソーラス用語： 窒素複素環化合物 ,  大環状化合物 ,  架橋化合物 ,  芳香族縮合化合物 ,  焼なまし ,  *開環反応 ,  *薄膜成長 ,  温度依存性 ,  *結晶方位 ,  FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： 逆Diels-Alder反応

分類 (4件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  複素環式化合物の結晶構造  (BK08030Q) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： テトラベンゾポルフィリン ,  2¹,2⁴-エチレン-7¹,7⁴-エチレン-12¹,12⁴-エチレン-17¹,17⁴-エチレン-21H,23H-テトラベンゾ[b,g,l,q]ポルフィリン

タイトルに関連する用語 (8件)： 固体 ,  結晶化 ,  薄膜 ,  テトラベンゾポルフィリン ,  TBP ,  有機半導体 ,  形態制御 ,  配向