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J-GLOBAL ID：201002233214939573   整理番号：10A0776339

高温でのシリコン-合成ダイヤモンド複合基板の熱抵抗減少

Reduced thermal resistance of the silicon-synthetic diamond composite substrates at elevated temperatures

著者 (4件)： GOYAL V. (Dep. of Electrical Engineering and Materials Sci. and Engineering Program, Nano-Device Lab., Bourns Coll. of ...) ,  SUBRINA S. (Dep. of Electrical Engineering and Materials Sci. and Engineering Program, Nano-Device Lab., Bourns Coll. of ...) ,  NIKA D. L. (Dep. of Electrical Engineering and Materials Sci. and Engineering Program, Nano-Device Lab., Bourns Coll. of ...) ,  BALANDIN A. A. (Dep. of Electrical Engineering and Materials Sci. and Engineering Program, Nano-Device Lab., Bourns Coll. of ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 3  ページ： 031904  発行年： 2010年07月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 合成ダイヤモンド-シリコン複合基板の熱伝導率の実験研究結果を報告した。複合基板は室温でシリコンより熱抵抗性であるが,温度に対する異なる熱伝導率依存性のため高温で従来のウェハより性能が優れている。クロスオーバーポイントには約360K近くで到達し,多結晶粒度,膜厚,界面品質を調整することによってさらに下げることができる。電子チップの動作に典型的な温度での複合材料ウェハの熱抵抗の低下は,電子移動度増強のためのよりよい熱管理と新しいフォノン設計法につながる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 高温 ,  *ケイ素 ,  *複合材料 ,  *基板 ,  *熱抵抗 ,  熱伝導率 ,  温度依存性 ,  ウエハ【IC】 ,  クロスオーバー効果 ,  多結晶 ,  粒度 ,  膜厚 ,  界面 ,  品質 ,  半導体チップ ,  キャリア移動度 ,  熱管理 ,  フォノン
準シソーラス用語： *合成ダイヤモンド ,  電子移動度

分類 (3件)： 熱伝導  (PA02020Z) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  合成ダイヤモンド ,  熱抵抗