正確なプロセス/デバイスシミュレーションのためのイオン注入プロフィールの分析:テール関数に基づくイオン注入プロフィールデータベース

SUZUKI Kunihiro

文献

J-GLOBAL ID：201002233296177587 整理番号：10A0814795

正確なプロセス/デバイスシミュレーションのためのイオン注入プロフィールの分析:テール関数に基づくイオン注入プロフィールデータベース

Analysis of Ion Implantation Profiles for Accurate Process/Device Simulation: Ion Implantation Profile Database Based on Tail Function

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 46 号： 3 ページ： 307-317 発行年： 2010年07月
JST資料番号： S0076A ISSN： 0016-2523 CODEN： FUSTA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

大規模集積回路(VLSI)デバイスの設計では,VLSIプロセスで不純物をドーピングするための標準的手法であるイオン注入から生じるドーピングプロフィールの精密予測が不可欠である。このことは,イオン注入プロフィールに関する二次イオン形質量分析法(SIMS)データのための解析式を得ることによって可能であり,そして,これらの解析式は,イオン注入プロフィールデータベースをコンパイルするのに使用される。補間されたパラメタ値を使用することで,任意の注入状態のプロフィールを生成できる。これらのイオン注入プロフィールを表現するのに使用される関数には,Gaussian,結合半Gaussian,Pearson,および双Pearson関数が含まれる。これらに加えて,著者とその共同研究者らは新しいテール関数を提案した。このテール関数は,汎用シミュレータで使われる現在の標準関数である双Pearson関数よりパラメタが少なく,そして,それは,ユニークなセットのパラメタを使用して任意のプロフィールをよりよく特定することができる。著者らは,約1000のより小さいデータベースを包括するイオン注入データベースを構成するのにこの関数を使用した。また,単一の付加パラメタによりこのデータベースをリンクすることによって,著者らは,広範な注入条件のもとでの非晶質層の厚さを予測することができた。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス製造技術一般 , CAD,CAM , データベースシステム

引用文献 (20件)：

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