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J-GLOBAL ID:201002233308933064   整理番号:10A0277271

p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器

Detectors of Terahertz and Infrared Radiation Based on p-i-n Single- and Multiple-Graphene Layer Structures
著者 (4件):
資料名:
巻: 109  号: 422(ED2009 196-211)  ページ: 77-80  発行年: 2010年02月15日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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p-i-nグラフェン構造におけるバンド間遷移を利用したテラヘルツ波および赤外線検出器の提案と評価を行った。構築されたデバイスモデルを使い,検出器の応答性および検出感度のグラフェン層数,光子エネルギー,印加電圧,温度に対する依存性の計算を行った。結果として,提案された検出器はテラヘルツおよび中赤外スペクトル領域において,量子井戸や量子ドット,あるいはナローギャップ・ギャップレスなバルク半導体を用いた検出器をはるかに越える可能性があることが示された。(著者抄録)
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分類 (1件):
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 
タイトルに関連する用語 (4件):
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