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J-GLOBAL ID：201002233547660894   整理番号：10A1146167

インライン,高スループットXPS測定法を利用する製品の高k/メタル計測方法の研究

Investigation of an on Product High-k/Metal Metrology Methodology Using an In-line, High Throughput XPS Measurement Technique

著者 (9件)： DAI Min (IBM, NY) ,  KLARE Mark (ReVera, CA) ,  RANGARAJAN Srinivasan (IBM, NY) ,  CHUDZIK Michael P (IBM, NY) ,  SHEPARD Joseph (IBM, NY) ,  TAI Leo (IBM, NY) ,  RONSHEIM Paul (IBM, NY) ,  KWAN Mike (ReVera, CA) ,  LARSON Tom (ReVera, CA)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 2010  ページ： 61-64  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線光電子分光法(XPS)が基礎研究分野に広く利用されている。高精度,高感度で,原子番号2以上の任意の元素の組成と厚みの理想的な計測手段となることが約束されている。本報告はSiONやHfO₂などの薄膜(100オングストロム以下の厚み)の測定用の高スループットなインラインXPS測定法について述べた。このインラインXPS測定法をオフラインSIMS,オフラインXPS,インライン偏光解析技術およびインラインマイクロX線蛍光(XRF)法の4種類の個別の計測法を用いて評価した。窒素にたいする感度テストでは,検出限界がSiON層の場合には5×10¹³atm/cm²のオーダである。2層HfO₂/SiON/Si膜の厚みの非干渉化にも成功した。高k膜測定の長期動的精度と短期間測定再現性についても,厚みと組成の測定を検討した。測定値は公称値の1%以内以下の誤差に収まった。

シソーラス用語： インライン処理 ,  迅速分析 ,  *X線光電子分光法 ,  *半導体プロセス ,  *誘電体薄膜 ,  ケイ化物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  ハフニウム化合物 ,  比較 ,  二次イオン質量分析 ,  偏光解析法 ,  機器分析
準シソーラス用語： 性能比較

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の物理分析  (CC03014E)

タイトルに関連する用語 (7件)： インライン ,  高スループット ,  XPS ,  測定法 ,  メタル ,  計測方法 ,  研究