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J-GLOBAL ID：201002233748605840   整理番号：10A0594806

実際の長さスケールにおけるGaN膜およびワイヤの熱伝導率の分子動力学的予測

Molecular dynamics prediction of thermal conductivity of GaN films and wires at realistic length scales

著者 (3件)： ZHOU X. W. (Sandia National Lab., California, USA) ,  JONES R. E. (Sandia National Lab., California, USA) ,  AUBRY S. (Stanford Univ., California, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 15  ページ： 155321.1-155321.13  発行年： 2010年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *量子細線 ,  *熱伝導率 ,  分子動力学 ,  予測 ,  スケール則

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 長さスケール ,  GaN ,  ワイヤ ,  熱伝導率 ,  分子動力学 ,  予測