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J-GLOBAL ID：201002233763321255   整理番号：10A0924899

負バイアス温度ストレス印加による回復可能と永久劣化損傷への水素の影響

Impact of Hydrogen on Recoverable and Permanent Damage following Negative Bias Temperature Stress

著者 (5件)： AICHINGER T. (Kompetenzzentrum fuer Automobil- und Industrieelektronik (KAI), Villach, AUT) ,  PUCHNER S. (Kompetenzzentrum fuer Automobil- und Industrieelektronik (KAI), Villach, AUT) ,  NELHIEBEL M. (Infineon Technol. Austria, Villach, AUT) ,  GRASSER T. (TU Wien, Wien, AUT) ,  HUTTER H. (TU Wien, Wien, AUT)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 1063-1068  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バックエンド工程(BEOL)プロセス中Tiバリア厚さを変えることにより,ゲート酸化膜中に大量の異なる水素成分を含有した2分割ウエハを作製した。専用の測定-ストレス-測定(MSM)手順を用いて,そのウエハに負バイアス温度ストレス(NBTS)を印加し,水素に関係したPMOS素子のNBTSと回復特性を分析した。電気的には電荷ポンプ(CP)測定と物理的には飛行時間2次イオン質量分光法(TOFSIMS)により,ゲート酸化膜の初期パッシベーション度の相違を検証した。その結果,全しきい値電圧(V_TH)シフトは,同等規模であるが異なる電気特性と物理特性を有する,準永久損傷と回復可能損傷の総和であることを示した。Grasserモデルと一致して,NBT劣化の回復可能部は水素に大きく依存しないが,永久V_THシフト成分は,ゲート酸化膜中全水素量と強く関係することを示した。また,Grasserモデルと一致した,電荷ポンプ(CP)信号と永久V_THシフト間の相関関係を観測した。

シソーラス用語： バイアス ,  *熱安定性 ,  *水素 ,  *半導体プロセス ,  生産ライン ,  ゲート【半導体】 ,  酸化膜 ,  応力測定 ,  *ウエハ【IC】 ,  熱応力 ,  *励起 ,  電荷 ,  二次イオン質量分析 ,  飛行時間法 ,  不動態化 ,  電圧 ,  *劣化 ,  *損傷
準シソーラス用語： NBTI ,  BEOL ,  電荷ポンプ ,  飛行時間二次イオン質量分析 ,  TOFSIMS ,  閾値電圧

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： バイアス ,  温度ストレス ,  印加 ,  回復 ,  永久 ,  損傷 ,  水素