文献

J-GLOBAL ID：201002233772671870   整理番号：10A0852480

分子構築:低バンドギャップポリマーに向けての別の合理的な経路

Molecular architecture: Another plausible pathway toward a low band gap polymer

著者 (3件)： TARKUC Simge (Dep. of Chemistry, Middle East Technical Univ., 06531 Ankara, TUR) ,  UDUM Yasemin Arslan (Inst. of Sci. and Technol., Dep. of Advanced Technologies, Gazi Univ., 06570 Ankara, TUR) ,  TOPPARE Levent (Dep. of Chemistry, Middle East Technical Univ., 06531 Ankara, TUR)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 643  号： 1-2  ページ： 89-93  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ビ-EDOTとジベンゾ[a,c]フェナジンの繰り返し単位からなる受容体-供与体-受容体π-共役モノマー(10,13-ビス(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b][1,4]ダイオキシン-5-イル)ジベンゾ[a,c]フェナジン(PHED)を合成し,ポリマーの電子的,及び光電子特性への受容体構造の役割を調べた。分光電気化学分析から,電子受容性単位の導入がπ-π^*遷移の開始時に長波長側へのシフトをもたらすことが示された。PPHEDの光学バンドギャップ(Eg)は,1.10eVであり,λ_maxは790nmであった。PPHEDの切り換え能を1600nmでの80%の透過率の測定による動力学的研究によって評価した。近赤外領域での高度の光学的コントラストのために,この材料はNIRデバイス応用への良好な候補品である。サンドイッチ型構造のPPHED/PEDOTを利用するディアルタイプの相補型多色エレクトロクロミック素子(ECD)を組み立てた。ECDsの分光電気化学,切り換え能,及び開放回路記憶を調べた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 導電性高分子 ,  エレクトロクロミズム ,  電解重合 ,  *重合体 ,  光学ギャップ ,  有機半導体 ,  *機能素子 ,  *光学素子 ,  ドーピング ,  サイクリックボルタンメトリー ,  電流電圧特性 ,  分光電気化学 ,  ポリエチレンジオキシチオフェン ,  開路 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *エレクトロクロミック素子

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  単独重合  (CG04020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

物質索引 (1件)： 10,13-ビス[3,4-(エチレンジオキシ)チオフェン-2-イル]ジベンゾ[a,c]フェナジン

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子 ,  構築 ,  経路