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J-GLOBAL ID：201002234170614600   整理番号：10A0368492

テラヘルツ周波数検出のためのシリコンδドープGaAs/AlAs量子井戸構造のMBE成長と輸送特性

MBE growth and transport properties of silicon δ-doped GaAs/AlAs quantum well structures for terahertz frequency detection

著者 (9件)： LACHAB M. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  KHANNA S.p. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  HARRISON P. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  LINFIELD E.h. (School of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Leeds, Leeds LS2 9JT, GBR) ,  CERSKUS A. (Semiconductor Physics Inst., A. Gostauto 11, LT-01108 Vilnius, LTU) ,  KUNDROTAS J. (Semiconductor Physics Inst., A. Gostauto 11, LT-01108 Vilnius, LTU) ,  SELIUTA D. (Semiconductor Physics Inst., A. Gostauto 11, LT-01108 Vilnius, LTU) ,  VALUSIS G. (Semiconductor Physics Inst., A. Gostauto 11, LT-01108 Vilnius, LTU) ,  VALUSIS G. (Inst. of Applied Res., Vilnius Univ., Sauletekio ave. 9, LT-10222 Vilnius, LTU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 10  ページ： 1761-1765  発行年： 2010年05月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極低温でテラヘルツ(THz)放射を検出するために設計したn型GaAs/AlAs多重量子井戸(MQW)構造の電気特性を評価した。試料は固体源分子線エピタクシー(MBE)により成長させた。各ポテンシャル井戸の中心にはSi原子がδドープされている。温度依存Hallデータから次のことが分かった。1)これらのプレーナ型ドープ構造では180K以下で電気伝導が熱活性化される,2)シート自由キャリア密度は金属-絶縁体転移が起きる近傍にある,3)低温では移動度はイオン化不純物散乱により律速される。さらに1.3Kにおける磁気輸送特性から,2次元電子ガスの第一サブバンドのみに電子が存在することが分かった。このMQW試料を加工してラテラル・メサ型フォトダイオードを作製し,THz周波数領域におけるスペクトル応答を調べた。閉じ込められた浅いドナー不純物準位が関与する検出方式を提案し,それに対する予備的実験結果を述べた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ヒ化アルミニウム ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *多重量子井戸 ,  δドーピング ,  ケイ素 ,  *MBE成長 ,  *赤外検出器 ,  電磁波 ,  キャリア密度 ,  キャリア移動度 ,  シート抵抗 ,  磁気抵抗効果 ,  Hall効果 ,  周波数応答 ,  分光感度 ,  温度依存性 ,  *電気伝導 ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： 検出感度

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (8件)： テラヘルツ ,  シリコン ,  δドープ ,  GaAs ,  AlAs ,  量子井戸 ,  MBE成長 ,  輸送特性