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J-GLOBAL ID：201002234745450133   整理番号：10A0965873

a-Si:H p-i-n太陽電池およびフォトダイオード用のナノ結晶p層

Nanocrystalline p-layer for a-Si:H p-i-n solar cells and photodiodes

著者 (6件)： VYGRANENKO Y. (Electronics, Telecommunications and Computer Engineering, ISEL, Rua Conselheiro Emidio Navarro 1, Lisbon 1949-014, PRT) ,  FATHI E. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Waterloo, 200 Univ. Avenue West, Waterloo, Canada N2L 3G1) ,  SAZONOV A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Waterloo, 200 Univ. Avenue West, Waterloo, Canada N2L 3G1) ,  VIEIRA M. (Electronics, Telecommunications and Computer Engineering, ISEL, Rua Conselheiro Emidio Navarro 1, Lisbon 1949-014, PRT) ,  VIEIRA M. (CTS-UNINOVA, Quinta da Torre, P-2829-516 Caparica, PRT) ,  NATHAN A. (London Centre for Nanotechnology, UCL, 17-19 Gordon Street, London WC1H 0AH, GBR)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94  号： 11  ページ： 1860-1863  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基質温度150°Cでプラズマ化学気相蒸着法(PECVD)によって蒸着したホウ素添加,水素化ナノ結晶ケイ素(nc-Si:H)薄膜の構造的,電子的および光学的特性について報告した。薄膜の特性はトリメチルホウ素対シラン比および膜厚の関数として研究した。ガラスおよびガラス/ZnO:Al基質上の20nm厚み薄膜の場合,400nmの波長において25%の吸収損失を計測した。窓層としてp⁺nc-Si:Hを採用して完全p-i-n構造を製作し,特性化した。pおよびi層の間にa-Si:Hバッファを組入れることによって漏れ電流の低減およびUV/青領域における感度の向上を達成した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *太陽電池 ,  ナノ結晶 ,  ケイ素 ,  水素化 ,  ホウ素 ,  添加 ,  薄膜 ,  プラズマCVD ,  キャラクタリゼーション ,  性能評価

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  太陽電池 ,  フォトダイオード ,  ナノ結晶