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J-GLOBAL ID：201002235013907684   整理番号：10A0822932

ZnOナノワイヤにおける電場誘起直接-間接バンドギャップ遷移

Electrical field induced direct-to-indirect bandgap transition in ZnO nanowires

著者 (4件)： LI S. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Inst. of Optoelectronic and Functional Composite ...) ,  LI J. L. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Inst. of Optoelectronic and Functional Composite ...) ,  JIANG Q. (Key Lab. of Automobile Materials of Ministry of Education, School of Materials Sci. and Engineering, Jilin Univ. ...) ,  YANG G. W. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Inst. of Optoelectronic and Functional Composite ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 2  ページ： 024302  発行年： 2010年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 60meVの励起子結合エネルギーを持つ広いバンドギャプ(3.37eV)の化合物半導体として,ZnOナノワイヤは,マイクロオプトエレクトロニクス及びナノオプトエレクトロニクスに大きい応用可能性があるとして強い関心を呼んでいる。しかし,マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニックナノ素子の基本単位としてZnOナノワイヤは,通常,電場の作用で作動する。従って,ZnOナノワイヤの電子構造に対する電場の影響は,ナノ素子の性能を部分的に決定付ける。そこで,密度関数理論を用いてZnOナノワイヤの電子構造に対する適用された電場の影響を研究した。適用された電場がZnOナノワイヤのバンドギャップを効果的に調節するばかりでなく,直接からの間接へのバンドギャップ遷移にも関わるということが分かった。一方,電場の前述の効果は,ZnOナノワイヤのサイズ及び形によって変わる。ZnOナノワイヤのエネルギーバンド構造の電場効果の物理的意味は,格子のボンド長さ変化及びZnとO原子の間の電荷移動に起因する。これらの調査は,ZnOナノワイヤに基づくマイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニックナノ素子の設計にとって重要なものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノワイヤ ,  バンドギャップ ,  励起子 ,  オプトエレクトロニクス ,  電場効果 ,  固体素子 ,  電荷移動 ,  理論 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  *電子遷移
準シソーラス用語： ナノ素子 ,  密度関数理論 ,  バンド間遷移 ,  直接遷移 ,  間接遷移

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnOナノワイヤ ,  電場 ,  誘起 ,  間接バンドギャップ ,  遷移