文献

J-GLOBAL ID：201002235168447019   整理番号：10A0750267

GaNエアブリッジ上に成長したInGaN量子井戸のインジウム変動減少

Reduced Indium Fluctuation in InGaN Quantum Well Grown on GaN Air Bridge

著者 (4件)： PARK Joonmo (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  SONG Kwang Min (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  MOON Se-Hoon (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR) ,  RYU Sang-Wan (Chonnam National Univ., Gwangju, KOR)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 7  ページ： H739-H741  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNエアブリッジに成長したInGaN量子井戸(QW)の製作と光学特性を研究した。GaNエアブリッジは電気化学エッチングによって製作し,InGaN QWは再成長させて特性評価した。Raman分光法は,エアブリッジがGaN膜の広範囲の歪を部分的に開放することを示した。小さな残留歪がInGaN QW成長中のインジウム変動を抑え,その結果低い欠陥密度と発光強度の小さな活性化エネルギーをもたらした。エアブリッジに成長したQWは,参照の内部量子効率28%に比べて38%の優れた内部量子効率を有していた。

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  ブリッジ回路 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *量子井戸 ,  インジウム ,  変動 ,  光学的性質 ,  エッチング ,  結晶成長 ,  Raman分光法 ,  薄膜 ,  残留歪 ,  欠陥密度 ,  放射強度 ,  活性化エネルギー ,  量子効率
準シソーラス用語： *InGaN ,  再成長 ,  電気化学エッチング ,  内部量子効率

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  エア ,  ブリッジ ,  成長 ,  InGaN ,  量子井戸 ,  インジウム