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J-GLOBAL ID：201002235426988127   整理番号：10A0220943

Si基板上の低オン抵抗高降伏電圧ノーマリオフAlN/GaN/AlGaN DHFET

Low On-Resistance High-Breakdown Normally Off AlN/GaN/AlGaN DHFET on Si Substrate

著者 (10件)： MEDJDOUB F. (IMEC, Leuven, BEL) ,  DERLUYN J. (IMEC, Leuven, BEL) ,  CHENG K. (IMEC, Leuven, BEL) ,  LEYS M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  DEGROOTE S. (IMEC, Leuven, BEL) ,  MARCON D. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VISALLI D. (IMEC, Leuven, BEL) ,  VAN HOVE M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  GERMAIN M. (IMEC, Leuven, BEL) ,  BORGHS G. (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 2  ページ： 111-113  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： insitu SiNキャップ層を利用する超薄型障壁ノーマリオフAlN/GaN/AlGaNダブルヘテロ構造電界効果トランジスタを,100mmSi基板上に製造した。高い2DEG密度と極端なまでの薄い障壁層との二つの働きによって,1.25mΩcmの低いオン比抵抗値と580Vの降伏電圧をV_GS=0Vのときに示すエンハンスメントモードデバイスが,現時点で得られている。2μmゲート長を用いたにもかかわらず,相互コンダクタンスのピーク値は300mS/mmを超えた。さらに,パルス測定によれば,このデバイスはドレイン電圧V_DS=50Vに達するまでばらつきがみられなかった。200個以上のデバイスを特性評価してこの結果の再現性を確認した。このノーマリオフDHFETには,さらに短いゲート長とさらに厚いAlGaNバッファ層をもちいれば更なる性能改善が期待できる。

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  窒化物 ,  半導体材料 ,  ヘテロ接合 ,  *スイッチングトランジスタ ,  *FET【トランジスタ】 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス ,  バッファ層 ,  *絶縁耐力

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  オン抵抗 ,  降伏電圧 ,  AlN ,  GaN ,  AlGaN