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J-GLOBAL ID:201002235499701640   整理番号:10A0845207

エコ時代の最新パワー・デバイス活用法 モータなどの誘導性負荷も力強く駆動できる 第3部 MOSFETより大きな電流を流せるIGBT 第8章 MOSFETのように駆動しやすくバイポーラのようにオン電圧が低い IGBTの種類と特徴

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巻: 47  号:ページ: 120-128  発行年: 2010年09月01日 
JST資料番号: L3911A  ISSN: 0040-9413  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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MOSFETの駆動電力が少ない特徴と,バイポーラ・トランジスタのオン電圧が低く通電損失が少ないという特徴を兼ね備えた絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)の特徴を解説した。ディスクリート・タイプを含めたIGBTの種類と構造を紹介し,複数の素子が入ったIGBTモジュールや,駆動や保護回路も内蔵したインテリジェント・パワー・モジュール,ワンチップ化したインテリジェント・パワー・デバイスを紹介した。応用例として,3相ACモータ駆動回路,調理器に使用する誘導加熱装置などを解説した。
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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