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J-GLOBAL ID：201002235537171502   整理番号：10A1041128

グラフェンへのドーピングの機構

Mechanisms of doping graphene

著者 (4件)： PINTO H. (Univ. Exeter, GBR) ,  JONES R. (Univ. Exeter, GBR) ,  GOSS J. P. (Newcastle Univ., Newcastle upon Tyne, GBR) ,  BRIDDON P. R. (Newcastle Univ., Newcastle upon Tyne, GBR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 207  号： 9  ページ： 2131-2136  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数計算を使ってグラフェンと吸着物質間の電荷移動を調べることによって,電子的および電気化学的ドーピング機構を考察した。グラフェンのドーパントには2タイプが存在した。1つは,グラフェンと吸着物質間に直接の電子交換がある場合で電子ドーピングと呼ばれ,その良い例がKである。この様なドーピングは瞬時に行われ,キャリア移動度の低下をもたらし,ヒステレシス効果は無かった。その2は,界面の水の関与する酸化還元反応により起る電気化学ドーピングで,これはキャリア移動度を増加させるものの相当程度の時間を要した。またヒステレシス効果も生じた。OH^-とH⁺のどちらかもしくは双方が移動性でゲート電圧の電界に応答すると仮定することによってキャリア移動度の増加を説明できた。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ドーピング ,  *密度汎関数法 ,  *吸着 ,  酸化還元反応 ,  電気化学的挙動 ,  電荷移動 ,  *キャリア移動度 ,  ヒステリシス ,  カリウム ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  アンモニア ,  アルキルベンゼン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電子ドーピング ,  電気化学ドーピング

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

物質索引 (2件)： F4-TCNQ ,  トルエン

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  ドーピング