文献

J-GLOBAL ID：201002235569165369   整理番号：10A1490179

低圧熱壁化学気相蒸着で成長した4H-SiCカーボン面エピタキシャル層

4H-SiC carbon-face epitaxial layers grown by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition

著者 (6件)： KOJIMA K ,  TAKAHASHI T ,  ISHIDA Y ,  KURODA S ,  OKUMURA H ,  ARAI K
資料名： SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2
巻： 457-460  ページ： 209-212  発行年： 2004年 
JST資料番号： O6090A  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低圧 ,  化学 ,  気相蒸着 ,  成長 ,  4H-SiC ,  カーボン ,  エピタキシャル層