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J-GLOBAL ID：201002235598113947   整理番号：10A0813852

金属フタロシアニンの電子ドーピングによる電子注入障壁の制御

Control of Electron Injection Barrier by Electron Doping of Metal Phthalocyanines

著者 (4件)： GARGIANI Pierluigi (Universita di Roma “La Sapienza”, Roma, ITA) ,  CALABRESE Antonio (Universita di Roma “La Sapienza”, Roma, ITA) ,  MARIANI Carlo (Universita di Roma “La Sapienza”, Roma, ITA) ,  BETTI Maria Grazia (Universita di Roma “La Sapienza”, Roma, ITA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 28  ページ： 12258-12264  発行年： 2010年07月22日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au(110)上に成長した一連の3d金属フタロシアニン(MPcs)に関する高解像光電子放出データを提供し,M=Fe,Co,Ni,Cu,Znの場合のMPc薄膜中でのアルカリドーピングで誘起された電子状態を比較しながら電子注入障壁の減少,金属-絶縁体遷移の欠如と満たされた電子状態の対称性を議論した。2e_g対称性を有する2重縮退LUMOが満たされるまでその初めの最低非占有分子軌道(LUMO)の累進的占有がNiPc,CuPcとZnPc膜に対して観察された。この電子充填の進展はFePcとCoPcに対して異なるプロセスを引き起こし,中心金属原子上に局在したその空電子状態はアルカリ金属による電子供与プロセスに含まれていた。電子充填は表面双極子の変位に殆ど依存した仕事関数の突然の減少によって達成された。この分子状膜は半導性を保ち,電子充填の飽和で強く減じられたその空孔注入障壁を有していた。この配位子,金属に関連した分子状態上の電子供与過程の選択的影響を議論した。

シソーラス用語： *金属フタロシアニン ,  *ドーピング ,  キャリア注入 ,  障壁 ,  金 ,  結晶面 ,  鉄 ,  コバルト ,  ニッケル ,  銅 ,  亜鉛 ,  *光電子放出 ,  カリウム ,  電子状態 ,  LUMO ,  仕事関数 ,  半導体薄膜 ,  有機半導体
準シソーラス用語： *電子ドーピング ,  電子注入

分類 (3件)： 八員環以上の複素環化合物  (CF07120T) ,  有機化合物・錯体の電子分光スペクトル(分子)  (BH06092P) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属フタロシアニン ,  電子ドーピング ,  電子注入 ,  障壁