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J-GLOBAL ID：201002235625607663   整理番号：10A0392668

Ge_0.4Se_0.6固体電解質におけるCu金属フィラメントを使用したバイポーラ抵抗性スイッチングメモリー

Bipolar Resistive Switching Memory Using Cu Metallic Filament in Ge_0.4Se_0.6 Solid Electrolyte

著者 (10件)： RAHAMAN S. Z. (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  MAIKAP S. (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  CHIU H.-C. (Chang Gung Univ., Tao-Yuan, TWN) ,  LIN C.-H. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  WU T.-Y. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Y.-S. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  TZENG P.-J. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN F. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  KAO M.-J. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  TSAI M.-J. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 5  ページ： H159-H162  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： W/Ge_0.4Se_0.6/Cu/Al構造のバイポーラ抵抗性スイッチングメモリーデバイスについて調べた。0.4Vを超える大きなしきい値電圧および10²を超える高い抵抗比(R_high/R_low)が観測された。そのデバイスは200μA×1.3Vの低電力で作動できた。10⁵回を超えるプログラム/消去(P/E)サイクルの良好な耐久性が得られた。85°Cでの24hの保持時間の後で,Ge_0.4Se_0.6固体電解質において,強いCu金属フィラメント形成のために5.7×10²の大きな抵抗比のデータ保持特性が観測された。その抵抗性スイッチング機構はCu伝導性フィラメントの形成および溶解をベースとしていて,それは,数回のP/Eサイクル後の高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)像によって初めて確認された。

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *セレン化物 ,  *タングステン ,  *銅 ,  *アルミニウム ,  多層構造 ,  固体電解質 ,  フィラメント ,  *記憶素子 ,  データ消去 ,  繰返し試験 ,  電子顕微鏡観察 ,  *スイッチング ,  電気抵抗 ,  保持時間 ,  導電性 ,  機構 ,  電流電圧特性 ,  バイポーラ集積回路 ,  耐久性 ,  サイクル寿命
準シソーラス用語： *セレン化ゲルマニウム ,  データ保持 ,  プログラム ,  作動 ,  低電力 ,  *抵抗スイッチング ,  閾値電圧

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 固体電解質 ,  Cu金属 ,  フィラメント ,  バイポーラ ,  抵抗性 ,  スイッチング ,  メモリー