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J-GLOBAL ID：201002235691703711   整理番号：10A1010223

有機薄膜トランジスタのための有機半導体成長および形態の考慮

Organic Semiconductor Growth and Morphology Considerations for Organic Thin-Film Transistors

著者 (4件)： VIRKAR Ajay A. (Stanford Univ., CA, USA) ,  MANNSFELD Stefan (Stanford Synchroton Radiation Lab., CA, USA) ,  BAO Zhenan (Stanford Univ., CA, USA) ,  STINGELIN Natalie (Imperial Coll. London, London, GBR)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 34  ページ： 3857-3875  発行年： 2010年09月08日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小分子および高分子有機半導体薄膜の結晶成長技術について総説した。A.序論 B.小分子有機半導体の結晶核形成および成長 B1.蒸着による有機半導体の核形成および成長 B2.核形成速度 B3.成長モード C.堆積パラメータの影響 D.誘電材料および誘電体表面修飾層の影響 D1.自己組織化単分子層(SAM)密度が形状およびTFT性能におよぼす影響 D2.高分子誘電材料 D3.無機および有機-無機ハイブリッド誘電体 E.表面粗さ,表面パターン形成,および表面化学による成長制御 F.高分子半導体 F1.高分子の立体配座 F2.分子量依存性 F3.巨視的分子秩序 F4.結晶化速度 F5.小分子の共存 F6.秩序化経路 F7.剛直棒状共役高分子 G.総合的結論。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *有機半導体 ,  *結晶成長 ,  *結晶核形成 ,  小分子 ,  高分子 ,  成長速度 ,  誘電材料 ,  表面改質 ,  自己組織化 ,  単分子層 ,  有機-無機ハイブリッド ,  誘電体 ,  表面粗さ ,  パターン形成 ,  立体配座 ,  依存性 ,  晶析速度 ,  添加物効果 ,  重合体
準シソーラス用語： 共役高分子 ,  結晶化速度 ,  結晶成長速度 ,  表面修飾 ,  分子量依存性 ,  有機薄膜トランジスタ

分類 (5件)： 有機化合物の結晶成長  (BK13070E) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  成長 ,  形態