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J-GLOBAL ID:201002235750894763   整理番号:10A1081600

圧電体薄膜上への低温多結晶シリコン薄膜トランジスタの作製

Fabrication of Poly-Si Thin Film Transistor on Piezo-Electric Film
著者 (5件):
資料名:
巻: 110  号: 202(CPM2010 79-90)  ページ: 31-36  発行年: 2010年09月03日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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磁気光学空間光変調器(magneto-optic spatial light modulator:MOSLM)は,磁気光学効果を利用して光の位相・偏光を二次元状に配列されたピクセル毎に制御するデバイスである。磁気光学効果は磁化の向きで制御できるため,nsオーダーの高速駆動が出来る。MOSLMのピクセルの磁化方位を制御する方法に,電流で発生した磁界を磁気光学膜に印加する方法があるが,高消費電力,発熱の問題があった。この問題を解決する方法として,圧電膜(チタン酸ジルコン酸鉛:PZT)ピクセルアレイを用いて反射型磁性フォトニック結晶(MPC)に応力を加えることで,逆磁歪効果で磁化方位を制御する圧電駆動型MOSLMの研究を行ってきた。しかし,以前の研究におけるPZTピクセルアレイの駆動方式はパッシブマトリクスであり,ピクセル数が大規模化した際に動作速度の低下やクロストークの問題が起こると考えられる。本研究では,PZTピクセルアレイをアクティブマトリクス駆動させるため,低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ(poly-Si thin film transistor:TFT)を作成し,諸特性を調べた。作製したTFTのドレイン電流は,PZTピクセルを数マイクロ秒オーダーで駆動するには不十分であったが,一方でブレイクダウン電圧は30V以上と圧電駆動型MOSLMを駆動するのに十分なものであった。今後はTFTを利用したアクティブマトリクス駆動の圧電駆動MOSLMを作成する。(著者抄録)
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トランジスタ  ,  光変調器 
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