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J-GLOBAL ID：201002235774921532   整理番号：10A0767146

シンクロトロンμ-XRFマッピングによるIn_1-xGa_xAs薄膜の選択的領域での成長の研究

Study of epitaxial selective area growth In_1-xGa_xAs films by synchrotron μ-XRF mapping

著者 (4件)： MINO Lorenzo (Univ. Turin, Turin, ITA) ,  AGOSTINO Angelo (Univ. Turin, Turin, ITA) ,  CODATO Simone (Avago Technol. Italy S.r.l., Turin, ITA) ,  LAMBERTI Carlo (Univ. Turin, Turin, ITA)
資料名： Journal of Analytical Atomic Spectrometry  (Journal of Analytical Atomic Spectrometry)
巻： 25  号： 6  ページ： 831-836  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： C0770C  ISSN： 0267-9477  CODEN： JASPE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： μメートルスケールで組成と厚さが変化するヒ化ガリウムインジウム膜に対して,基本パラメータモデルと影響係数モデルを組み合わせて用いた。空間分解シンクロトロン照射X線蛍光(SR-XRF)マップからIn上に成長させた3元系In_1-xGa_xAs薄膜の厚さと組成変化を抽出した。この薄膜中の成長面方向の組成と厚さの勾配は選択的領域成長(SAG)法によってえられた。ヨーロッパシンクロトロン照射施設(ESRF)のID22ビームラインで利用可能なμ-X線ビームを用いて,In_1-xGa_xAs3元系半導体薄膜のXRF研究をおこなった。この方法はわずかな標準試料の使用と基本パラメーター近似にもとづく理論的な影響係数アルゴリズムであり,中程度の厚さの試料に対して最適化されている。報告された値は,高分解能X線回折(HRXRD)による分析結果と1%以内で一致した。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  薄膜成長 ,  空間分解分光法 ,  *シンクロトロン放射 ,  *蛍光X線分析 ,  *選択成長 ,  *半導体薄膜 ,  係数 ,  確率モデル ,  化学組成 ,  膜厚
準シソーラス用語： 影響係数 ,  パラメータモデル

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： シンクロトロン ,  マッピング ,  薄膜 ,  成長 ,  研究