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J-GLOBAL ID：201002235786607167   整理番号：10A0197121

FITMOSのAC特性の改良

Improvement of AC characteristics of FITMOS

著者 (3件)： TAKAYA H. (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN) ,  MIYAGI K. (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN) ,  HAMADA K. (Toyota Motor Corp., Aichi, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 46  号： 2  ページ： 172-173  発行年： 2010年01月21日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者等は低オン抵抗パワーMOSFETとしてFITMOS(Floating Island and Thick bottom oxide trench gate MOSFET)を開発した。本稿では,受動ホールゲート構造を持つFITMOSのAC特性を調べた。スイッチング動作における時間遅延について検討を行い,高電圧,高温動作に対して適用可能な新しいデバイス構造を提案した。また,非クランプ誘導スイッチ試験においては,ドレイン-ソースブレークダウン特性の劣化は無かった。

シソーラス用語： オン抵抗 ,  *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  遅れ ,  スイッチング ,  素子構造 ,  電圧 ,  *トレンチカット【加工】 ,  ゲート【半導体】 ,  電気特性
準シソーラス用語： *FITMOS ,  デバイス構造 ,  トレンチゲート ,  パワーMOSFET ,  ブレークダウン電圧 ,  時間遅延

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)