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J-GLOBAL ID：201002235955225023   整理番号：10A1045792

積層形の酸化ハフニウム(HfO₂)/二酸化ケイ素(SiO₂)金属-酸化物-半導体トンネル効果温度センサのキャラクタリゼーション

Characterization of Stacked Hafnium Oxide (HfO₂)/Silicon Dioxide (SiO₂) Metal-Oxide-Semiconductor Tunneling Temperature Sensors

著者 (2件)： WANG Chih-Yao (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HWU Jenn-Gwo (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 10  ページ： J324-J328  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSデバイスの小型化の進行に伴って発熱による温度上昇の監視のためにオンチップ型温度センサを組込む必要性が高まってきた。MOSの高kゲート誘電体の導入に対応するHfO₂/SiO₂多層構造のトンネル効果温度センサを検討した。Al/HfO₂/SiO₂/Si多層構造を作製し,30~100°Cのトンネル効果温度応答を調べた。この温度センサはAl/SiO₂/Si型のものと比較して低い電圧で動作し,従って電流消費量が少なかった。このセンサの飽和電流は高温域ではFrenkel-Poole(F-P)効果の影響を受けることおよびHfO₂層が厚いほどF-P効果の影響が大きくなった。

シソーラス用語： *温度センサ ,  *トンネル効果 ,  *MOS構造 ,  酸化ハフニウム ,  酸化ケイ素 ,  多層構造 ,  ケイ素 ,  熱応答
準シソーラス用語： 温度応答

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸化ハフニウム ,  HfO2 ,  二酸化ケイ素 ,  SiO2 ,  酸化物 ,  トンネル効果 ,  温度センサ ,  キャラクタリゼーション