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J-GLOBAL ID：201002235966844116   整理番号：10A1070230

水蒸気中でアニーリングしたSiO₂/SiCのH定量とプロファイリング

H Quantification and Profiling in SiO₂/SiC Submitted to Annealing in Water Vapor

著者 (6件)： SOARES G. V. (Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Rio Grande do Sul, BRA) ,  BAUMVOL I. J. R. (Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Rio Grande do Sul, BRA) ,  BAUMVOL I. J. R. (Universidade de Caxias do Sul, Rio Grande do Sul, BRA) ,  CORREA S. A. (Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Rio Grande do Sul, BRA) ,  RADTKE C. (Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Rio Grande do Sul, BRA) ,  STEDILE F. C. (Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Rio Grande do Sul, BRA)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 13  号： 11  ページ： G95-G97  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水蒸気中でのSiO₂/SiC構造のアニーリング時に,水素がこの酸化物の表面,バルク,及び界面領域に輸送され組込まれる。酸化物の成長があるときは,水素の組込みが酸化物の成長と共に起こり,新しいSiO₂/SiC界面まで全酸化物中に固定された。これは500°C以上のどの温度でも,水素が酸化物膜の表面近傍領域にのみ固定されるSiO₂/Si構造とは対照的である。SiO₂/SiCでの最も可能性のある機構は水素含有化学種の界面へ向かってのバルクでの拡散とこれら領域に存在する炭素質化学種と関連する欠陥への水素固定である。アニーリングガス混合物中のドライH₂に代わる水蒸気の影響はO₂に比べて速い拡散化学種であるOH^-基を生成することと酸素の輸送及び組込みを促進することである。

シソーラス用語： *水蒸気 ,  *焼なまし ,  *二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *水素 ,  *定量分析 ,  *経歴 ,  拡散 ,  欠陥 ,  *水酸化物イオン ,  酸素 ,  物質移動 ,  重水素 ,  酸素18
準シソーラス用語： *アニーリング処理 ,  定量 ,  定量化 ,  *プロファイリング ,  酸素輸送

分類 (2件)： 非金属化合物  (CD01070R) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水蒸気 ,  アニーリング ,  SiO2 ,  SiC ,  定量 ,  プロファイリング