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J-GLOBAL ID：201002236013490526   整理番号：10A0463319

ZnO/PZT積層構造を用いた強誘電体メモリスタ

著者 (4件)： 金子幸広 (パナソニック 先端技研) ,  田中浩之 (パナソニック 先端技研) ,  上田路人 (パナソニック 先端技研) ,  藤井映志 (パナソニック 先端技研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18P-TR-11  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電気抵抗 ,  *記憶素子 ,  *強誘電体 ,  ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  半導体 ,  酸化亜鉛 ,  積層構造 ,  誘電体薄膜 ,  半導体薄膜 ,  ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  振幅変調 ,  記銘
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  記憶保持

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  PZT ,  積層構造 ,  強誘電体 ,  メモリスタ