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J-GLOBAL ID：201002236073263227   整理番号：10A1386200

バナジウムフタロシアニン/HOPG界面での分子充填と表面電位間の相関

Correlation between Molecular Packing and Surface Potential at Vanadyl Phthalocyanine/HOPG Interface

著者 (4件)： XIE Weiguang (Chinese Univ. Hong Kong, HKG) ,  XU Jianbin (Chinese Univ. Hong Kong, HKG) ,  AN Jin (Chinese Univ. Hong Kong, HKG) ,  XUE Kun (Chinese Univ. Hong Kong, HKG)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 44  ページ： 19044-19047  発行年： 2010年11月11日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バナジルフタロシアニン(VOPc)/高配向熱分解グラファイト(HOPG)界面での表面電位とVOPc分子積層間の相関を走査Kelvinプローブ顕微鏡(SKPM)と超高真空走査トンネル顕微鏡(UHV-STM)を使って調べた。二層厚み依存分布から配向依存不均質性への表面電位の遷移が同じ膜で認められた。初期に下に横たわる二層の表面電位変化は破裂接合モデルで記述された。約6nmよりも厚い領域で異なる方向に配向したVOPc分子層間で約100meVの電位エネルギー差が認められ,空孔輸送に対するかなりの障壁としてその境界が作用していることを示していた。

シソーラス用語： *フタロシアニン錯体 ,  *バナジル錯体 ,  *高配向性熱分解グラファイト ,  力顕微鏡 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  超高真空 ,  依存性 ,  表面電位 ,  *表面構造 ,  積層構造 ,  多層膜
準シソーラス用語： Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  走査型力顕微鏡 ,  厚み依存性 ,  *表面形態 ,  分子積層

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： バナジウム ,  フタロシアニン ,  HOPG ,  界面 ,  分子充填 ,  表面電位 ,  相関