文献

J-GLOBAL ID：201002236110274773   整理番号：10A0038524

窒化ゼオライト類のDFT研究:HYやシリカライト中での窒素置換の機構

DFT study of nitrided zeolites: Mechanism of nitrogen substitution in HY and silicalite

著者 (5件)： AGARWAL Vishal (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Massachusetts, Amherst, MA 01003, USA) ,  HUBER George W. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Massachusetts, Amherst, MA 01003, USA) ,  CONNER W. Curtis (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Massachusetts, Amherst, MA 01003, USA) ,  AUERBACH Scott M. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Massachusetts, Amherst, MA 01003, USA) ,  AUERBACH Scott M. (Dep. of Chemistry, Univ. of Massachusetts, Amherst, MA 01003, USA)
資料名： Journal of Catalysis  (Journal of Catalysis)
巻： 269  号： 1  ページ： 53-63  発行年： 2010年01月01日 
JST資料番号： H0480A  ISSN： 0021-9517  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らはHYやシリカライトゼオライト中に窒素置換(窒化)の機構を研究するために密度汎関数理論(DFT)を使って埋め込みクラスタ計算を行った。窒化についてはSi-O-SiとSi-OH-Alの連鎖をそれぞれSi-NH-SiとSi-NH₂-Alに置き換えた。窒化にはシリカライト中(132kJ/mol)よりもHY中(29kJ/mol)の方にあまり吸熱性がないと判断し,HY中の窒化収率が高くなる可能性を示した。詳細な機構を明らかにし,捕え難い遷移状態を見つけるため,初めてナッジド弾性バンド法と量子クラスタ埋め込みONIOM法とを組み合わせた。シリカライトの窒化は≡Si(N)(O)Si≡環と五価のSiを内在する平面状中間体を経て進行すると判断したが,HYの窒化は物理吸着したアンモニアに類似した中間体を経て進行すると分かった。B3LYP/6-311G(d,p)計算からシリカライトの窒化には343kJ/molの総障壁があり,又HY中では359kJ/molあった。総窒化障壁は相対的に高く,置換には高温を要したが,逆過程の総障壁も高くなった。これにより,一度これらの触媒を作れば比較的安定に存在する判断した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化 ,  *合成ゼオライト ,  HYゼオライト ,  シリカライト ,  密度汎関数法 ,  計算化学 ,  *触媒 ,  分子構造 ,  *反応機構 ,  反応中間体
準シソーラス用語： 固体触媒 ,  *塩基性触媒 ,  B3LYP

分類 (2件)： 合成鉱物  (CD01040K) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒化 ,  ゼオライト類 ,  DFT ,  研究 ,  HY ,  シリカライト ,  窒素 ,  置換