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J-GLOBAL ID：201002236179585282   整理番号：10A0664847

LaSrAlO₄基板上の歪エピタキシャルBiFeO₃薄膜のナノ寸法分域

Nanoscale domains in strained epitaxial BiFeO₃ thin Films on LaSrAlO₄ substrate

著者 (7件)： CHEN Zuhuang (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  YOU Lu (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  HUANG Chuanwei (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  QI Yajun (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  WANG Junling (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  SRITHARAN Thirumany (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798) ,  CHEN Lang (School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 25  ページ： 252903  発行年： 2010年06月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積により(001)LaSrAlO₄単結晶基板上に種々の厚みによるBiFeO₃薄膜をエピタキシャル成長させた。高分解能X線回折測定によりc格子定数が約4.65Åの正方状の相が大きな不整合歪で安定化されることが分かった。さらに,膜厚が約50nm及びそれ以上で大きな不整合歪が緩和してc格子定数が約3.99Åの菱面体状の相も検出された。面内圧電力顕微鏡研究により,正方状領域で明瞭な信号で自己組織化ナノ寸法の縞状分域構造が見られた。これらの知見は大圧縮歪下でのBiFeO₃薄膜におけるナノ寸法分域パターンの複雑な様相を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 材料 ,  磁気電気効果 ,  *ビスマス化合物 ,  *フェライト ,  エピタクシー ,  *誘電体薄膜 ,  基板 ,  ランタン化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  アルミン酸塩 ,  格子不整合 ,  歪 ,  緩和現象 ,  格子定数 ,  自己組織化 ,  ナノ構造 ,  *強誘電分域 ,  *格子歪
準シソーラス用語： マルチフェロイック ,  *ビスマスフェライト ,  圧縮歪 ,  歪緩和 ,  不整合歪

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 歪 ,  エピタキシャル ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  ナノ寸法 ,  分域