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J-GLOBAL ID：201002236599326592   整理番号：10A1118992

移動度ブースタを用いた(110)チャンネル方位上SiGe CMOS:表面方位,チャンネル方向と単軸歪み

SiGe CMOS on (110) Channel Orientation with Mobility Boosters: Surface Orientation, Channel Directions, and Uniaxial Strain

著者 (15件)： OH J. (SEMATECH, TX, USA) ,  LEE S.-H. (Univ. of Texas, TX) ,  MIN K.-S. (SEMATECH, TX, USA) ,  HUANG J. (SEMATECH, TX, USA) ,  MIN B. G. (SEMATECH, TX, USA) ,  SASSMAN B. (SEMATECH, TX, USA) ,  JEON K. (Univ. of California, CA) ,  LOH W.-Y. (SEMATECH, TX, USA) ,  BARNETT J. (SEMATECH, TX, USA) ,  OK I. (SEMATECH, TX, USA) ,  KANG C.-Y. (SEMATECH, TX, USA) ,  SMITH C. (SEMATECH, TX, USA) ,  KO D.-H. (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIRSCH P. D. (SEMATECH, TX, USA) ,  JAMMY R. (SEMATECH, TX, USA)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2010  ページ： 31-32  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGeチャンネルCMOS用表面方位,チャンネル方向と単軸歪み技術に関する総合的研究について報告した。性能向上方法を用いて,高移動度SiGe(110)チャンネルCMOSを実現した。高品質エピタキシャルSiGeチャンネルを,浅いトレンチ分離形成Si基板上に選択成長した。その界面特性とオフ状態電流を改善するため,Siキャップ層を形成した。(110)表面上で,SiGe nMOSは,Si(100)nMOSより高電子移動度を示した。キャリア移動度は,<110>チャンネル方向の結晶粒により,SiGe(110)表面方位上で向上した。さらに,単軸歪みにより,電子と正孔の移動度向上を得ることができ,SiGe(110)CMOS性能ブースタ(向上方法)として,持続可能プロセス誘起歪み技術を提案した。これらの結果から,単一SiGe(110)<110>チャンネル方位上へのモノリシック集積化による高移動度チャンネルCMOS技術の進展を示した。

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *CMOS構造 ,  *結晶方位 ,  *キャリア移動度 ,  *格子歪 ,  トレンチカット【加工】 ,  分離 ,  選択成長 ,  保護膜
準シソーラス用語： 表面方位 ,  一軸歪

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 移動度 ,  ブースタ ,  チャンネル ,  方位 ,  SiGe ,  CMOS ,  軸歪み