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J-GLOBAL ID：201002236608546975   整理番号：10A0883726

マイクロ波スイッチング用の1.55μmGaNAsSb系光導電スイッチ

1.55-μm GaNAsSb-Based Photoconductive Switch for Microwave Switching

著者 (11件)： TAN Kian Hua (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  TRIPON-CANSELIET Charlotte (Pierre and Marie Curie Univ., Ivry sur Seine, FRA) ,  FACI Salim (Pierre and Marie Curie Univ., Ivry sur Seine, FRA) ,  PAGIES Antoine (Univ. Sci. et Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  ZEGAOUI Malek (Univ. Sci. et Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  LOKE Wan Khai (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  WICAKSONO Satrio (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  YOON Soon Fatt (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  MAGNIN Vincent (Univ. Sci. et Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  DECOSTER Didier (Univ. Sci. et Technol. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  CHAZELAS Jean (Thales Systemes Aeroportes, Yvelinnes, FRA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 22  号： 13/16  ページ： 1105-1107  発行年： 2010年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光伝導スイッチは,光励起へのピコ秒応答によるテラヘルツ光電子応用の有力な素子である。しかし,GaAs系の光伝導スイッチは,光バンドギャップが1.43eVで,1.3や1.5μmの通信用の波長では使用できない欠点がある。この論文では,マイクロ波のスイッチング応用のためのGaAs基板上のGaNAsSb系光伝導スイッチについて述べた。このGaNAsSb層を,無線周波数プラズマ支援窒素源とバルブアンチモン分解セルを組み合わせた分子線エピタクシーで成長した。このスイッチは,80mWでの1.55μmレーザ励起条件の1.5GHzで9dBのオンオフ比を示した。このスイッチは,1.55μm領域でのマイクロ波応用のための初めての光伝導スイッチで,10GHzまで正のオンオフ比を示した。さらに,解析結果は,高い接触抵抗がこの光伝導スイッチの性能劣化を示唆した。

シソーラス用語： *マイクロ波 ,  アンテナ ,  通信信号 ,  *化合物半導体 ,  *MBE成長 ,  性能分析 ,  接触抵抗 ,  ピコ秒 ,  バンドギャップ ,  応答特性 ,  *第5族元素 ,  ヒ化ガリウム ,  *第13族元素 ,  テラヘルツ波
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  テラヘルツ ,  *光伝導スイッチ ,  性能劣化 ,  *第3B族元素

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロ波 ,  スイッチング ,  光導電