シクロメタル化スチリルベンゾイミダゾール配位子とのイリジウム(III)錯体  合成,電気化学および有機発光ダイオードのための高度に有効なエミッタとして

ZHANG Guanghui; WU Fang-iy; JIANG Xiaoqing; SUN Peipei; CHENG Chien-hong

文献

J-GLOBAL ID：201002236732637970 整理番号：10A0905632

シクロメタル化スチリルベンゾイミダゾール配位子とのイリジウム(III)錯体合成,電気化学および有機発光ダイオードのための高度に有効なエミッタとして

Iridium(III) complexes with cyclometalated styrylbenzoimidazole ligands: Synthesis, electrochemistry and as highly efficient emitters for organic light-emitting diodes

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資料名：
巻： 160 号： 17-18 ページ： 1906-1911 発行年： 2010年09月
JST資料番号： C0123B ISSN： 0379-6779 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

2種のリン光イリジウム錯体(psbi)₂Ir(acac)および(ppbi)₂Ir(acac)(psbi=1-フェニル-2-スチリル-1H-ベンゾ[d]イミダゾール,ppbi=1-フェニル-2-(1-フェニルプロ-1-ペン-2-イル)-1H-ベンゾ[d]イミダゾール,acac=アセチルアセトナート)を合成し,それらの光物理,電気化学的およびエレクトロルミネセンス特性も研究した。ITO/NPB(10nm)/TCTA(20nm)/x%Ir:CBP(ynm)/BCP(10nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)の構造を持つドーパントエミッタとしてこれらの2種の錯体を有する有機発光ダイオードを作製した。(ppbi)₂Ir(acac)に基づく素子が31232cdm^-2の最大輝度を与えたのに対して,(psbi)₂Ir(acac)に基づく素子は56162cdm^-2の最大輝度を示した。(psbi)₂Ir(acac)-系EL素子の場合,1000cdm^-2および10000cdm^-2の高輝度で,それぞれ25.7cdA^-1および20.7cdA^-1の高電流効率を達成した。(ppbi)₂Ir(acac)に基づくEL素子の場合,1000cdm^-2で20.1cdA^-1および10000cdm^-2で14.2cdA^-1の電流効率を観測した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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白金族元素の錯体 , 発光素子

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シクロメタル化スチリルベンゾイミダゾール配位子とのイリジウム(III)錯体 合成,電気化学および有機発光ダイオードのための高度に有効なエミッタとして

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